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武汉科琪电子有限公司

IGBT模块,电容,可控硅,整流二极管模块,电源模块,风机,MOSFET,传感器,MOSFET

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英飞凌IGBT模块 富士IGBT模块 三菱IGBT模块
薄膜电容 施乐百风机
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图片 标 题 更新时间
FP100R12KT4
FP100R12KT4技术参数: Ic(A),Tc=80℃100 Vce(sat),Max(V)2.2 Ton(us)0.17 Toff(us)0.45 Rth(j-c),K/W0.29 Pc(W)515 封装EconoPI
2018-06-18
FP75R12KT4
FP75R12KT4技术参数: Ic(A),Tc=80℃75 Vce(sat),Max(V)2.25 Ton(us)0.17 Toff(us)0.45 Rth(j-c),K/W0.39 Pc(W)385 封装EconoPIM
2018-06-18
FP40R12KT3
FP40R12KT3技术参数: Ic(A),Tc=80℃40 Vce(sat),Max(V)2.3 Ton(us)0.09 Toff(us)0.52 Rth(j-c),K/W0.6 Pc(W)210 封装EconoPIM2
2018-06-18
FZ1600R17KE3
FZ1600R17KE3技术参数: Ic(A),Tc=80℃1600 Vce(sat),Max(V)2.45 Ton(us)0.58 Toff(us)1.5 Rth(j-c),K/W0.014 Pc(W)8950 封装IHM
2018-06-18
FF200R17KE4
FF200R17KE4技术参数: Ic(A),Tc=80℃:200 Vce(sat),Max(V): - Ton(us):- Toff(us):- Rth(j-c),K/W:- Pc(W): - 封装:62mm
2018-06-18
FF600R17ME4
FF600R17ME4技术参数: Ic(A),Tc=80℃600 Vces(V) 1700 封装EconoDual3 电路结构半桥性能概要: 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和
2018-06-18
FF1000R17IE4
FF1000R17IE4PrimePACK3 模块 带有温度检测NTC技术参数: Ic(A),Tc=80℃:1000 Vce(sat),Max(V): 2.8 Ton(us):0.6 Toff(us):1
2018-06-18
FZ800R33KF2C
FZ800R33KF2C技术参数: Ic(A),Tc=80℃800 Vce(sat),Max(V)4.25 Ton(us)0.28 Toff(us)1.55 Rth(j-c),K/W0.013 Pc(W)9600 封装IHV
2018-06-18