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技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 600
• Vces(V) 1700
• 封装 EconoDual3
• 电路结构 半桥
性能概要：
• 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管 带有温度检测NTC
电气特性：
• 高电流密度
• 低Vceast
• Tvj op=150℃
• Vceast带正温度系数
机械特性：
• 高功率密度
• 绝缘的基板
• 标准封装
典型应用：
• 大功率变流器
• 风力发电机